（来源：第三代半导体产业）
近日，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）基于自主研发的SCIENCE系列VB法长晶设备，全球首次实现12英寸氧化镓晶体等径生长。这是继全球首发8英寸氧化镓衬底及同质外延片之后，公司在大尺寸氧化镓材料领域的又一重要进展。
图1 镓仁半导体12英寸氧化镓晶体等径生长是晶体走向产业化的重要一步。只有形成直径恒定的等径段，晶锭才具备连续稳定、可直接用于切磨加工的有效部分。等径段越厚，单根晶锭可切割出的合格衬底片越多，单片衬底的成本就越低。同时，12英寸氧化镓衬底与主流硅产线兼容度高，可大幅降低下游的设备投资和产线切换成本，缩短研发周期。这标志着镓仁半导体在“做大”与“做厚”两个维度上取得同步突破，为氧化镓衬底的进一步降本提供可能。
VB法是一种“锅内”生长技术，熔体在固液界面处自下而上逐层凝固，整埚熔体定向结晶为单晶。VB法被视为大规模制备氧化镓的理想方法之一，具有多重优势。晶体在封闭坩埚内一次成型，流程简便且无需复杂操作，晶向选择自由度更高；坩埚可有效抑制氧化镓各向异性诱发的位错、孪晶等缺陷，生长良率更高；同时热场稳定、运行成本低。然而，将原理优势转化为12英寸晶体的等径生长并非易事，实际生长中面临热场与工艺匹配等诸多难题。镓仁半导体自研的SCIENCE系列VB法长晶设备温控精度达±0.1 ℃，具备“设备+工艺包”一体化能力，系统解决上述难题，实现了从2英寸到12英寸晶体的快速迭代。目前，该设备已销售交付多家重要客户，以稳定可靠的性能获得客户与市场的广泛好评，并荣获CSPSD“优秀市场表现奖”。
今年3月，公司实现全球首次8英寸氧化镓同质外延生长，相关成果通过国内外第三方机构权威认证。此次12英寸晶体等径生长的突破，进一步夯实了公司在大尺寸氧化镓领域的技术优势。未来，公司将持续推进12英寸晶锭的加工与性能验证，加快氧化镓衬底从实验室走向规模化量产。
图2 镓仁半导体氧化镓专用VB设备“优秀市场表现”证书关于镓仁：
杭州镓仁半导体有限公司是全球领先的氧化镓材料与设备解决方案提供商，专注于超宽禁带半导体领域的技术研发与产业化落地。公司核心产品包括：2-12英寸氧化镓单晶与衬底（其中8英寸、12英寸等径生长为国际首发）、氧化镓垂直布里奇曼法（VB法）长晶设备、2-8英寸氧化镓同质外延片（其中8英寸为国际首发）等，致力于构建?“设备-晶体-衬底-外延”?全链条产品体系，为全球客户提供系统性解决方案。公司在氧化镓领域的相关成果获得人民日报、新华社、科技日报、新浪财经、中国蓝新闻、澎湃新闻等知名媒体专题报道。
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